Сравнение на предимствата и недостатъците между различни оптични чипове в оптичните модули от серия 400G:
По отношение на честотната лента, настоящото изследване на EML честотна лента показа, че може да достигне 60GHz, докато Силициеви фотоники MZM може да достигне 50GHz.
Скорост на предаване, VCSEL е 100M в кратко разстояние, EML може да поддържа 2km, 10 км и 40 км. Силиконовата светлина има предимство в 500M и 2 км.
По отношение на разходите, EML е сравнително по-скъпо. По отношение на капацитетите на партидата, CMOS платформата на Silicon Photonics може да постигне хибридна интеграция на оптоелектроника, а големият капацитет за производство на големи количества ще бъде гарантиран.
Обобщение на оптичния модул от серия 400G:
Продуктите на оптичния модул на базата на VCSEL чип имат 400G SR8 / SR4.2 продукти за кратко разстояние 100m; продуктите на оптичния модул, базирани на EML чип са 100G, 100G DR1/FR1/LR1/ER1, 400G DR4/FR4, 400G LR4; на базата на MZM (SiPh) чип продукти са 100G DR1/FR1, 400G DR4, 400G-ZR.
Сравнявайки разликата в консумацията на енергия и производителността между единичните 100G силиконови оптични решения и EML разтвора, едновълново 100G EML консумацията на енергия е 4.5W, и едно-wave 100G оптични силиконови оптични разтвори се контролира в рамките на 3.5W. В същото време двете по отношение на оптичната производителност на очната диаграма, Силиконовите фотоники могат да отговарят на изискванията за работа на едновълнен 100G и 400G DR4. Предимството на Silicon Photonics се крие във високата интеграция, която може да интегрира MZM+SSC+PD. Силиконовите фотоники имат своите недостатъци и големи загуби на съединителна вложка, което изисква висока мощност CW и DFB.
400G DR4 EML в сравнение с SiPh, 400G DR4 EML консумация на енергия е 12W; 400G DR4 SiPhL консумацията на енергия е по-малка от 10W. Предимството на DR4 Silicon Photonics е, че се нуждае само от две DFBs CW, поддържа многоканално интегриране, 4CH MZM + SSC + 4CH P, така че има предимства в консумацията на енергия и разходите.
Оптичната връзка на центъра за данни ТСИ се увеличава бързо. Въз основа на съгласувана технология, тя се превърна в стандартно техническо решение за 100 GB / s, 200 GB / сек, и 400 GB / s предаване на дълги разстояния. От първоначалното решение за свръхдълго разстояние до метрополната мрежа пазарът на пренос на мрежата за достъп и високоскоростния пазар за междусистемно свързване между центровете за данни, който е от особено значение през последните години, бързо напредва със стандарта 400G ZR, и ZR+ напредва.
Очаквайки 800G, се очаква да стартира продукти през 2021 г.
Следващото поколение 800G оптичен модул е разделен на три стъпки:
Стъпка 1: Базиран на 100G Сердес, DSP PAM4 8 в 8 навън, оптичен порт 100G/l, продукт 8x100G ---напуска през 2021 г.
Стъпка 2: Базиран на 100G Сердес + Скоростна кутия, DSP PAM4 8 в 4 изход, оптичен порт 200G/l, продукт 4x200G --- стартира през 2023 г.
Стъпка 3: Базиран на 200G Сердес, DSP PAM4 4 в 4 навън, оптичен порт 200G / l, 4x200G продукт ---2025 стартира.
Въз основа на перспективата за 200G оптоелектронни чипове се очаква, че 200G / l свързани оптоелектронни чипове ще бъдат постепенно готови в 2022, и само 1.6T (8 * 200G) pluggable оптичните модули ще бъдат изпълнени, като по този начин се насърчава развитието на 102.4T ключове. Пратките на базата на 100G/l оптични устройства ще бъдат с дължина около 10 години; оптични устройства 100G/l ще бъдат с дължина около 10 години.
